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保证IGBT的安全工作条件是什么?
芯能半导体 芯能半导体 Loading... 2018-12-03

1、驱动电路:由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之间的折衷关系,建议将栅极电压选为+UG=15V±10%,—UG =5~10V。栅极电阻与IGBT的开通和关断特性密切相关,RG小时开关损耗减少,开关时间缩短,关断脉冲电压增大。应根据浪涌电压和开关损耗的最佳折衷关系(与频率有关)选择合适的RG值,一般选为10~27Ω。为防止栅极开路,在栅极与发射极问并联20~30kΩ的电阻。

2、保护电路: IGBT模块使用在高频时,布线电感容易产生尖峰电压,必须注意布线电感和组件的配置。应设的保护项目有:过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、安全工作区、过热保护。

3、吸收电路:由于IGBT开关速度快,容易产生浪涌电压,所以必须设有浪涌钳位电路。

4、IGBT 并联使用时应考虑栅极电路的线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。

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