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产品介绍

芯能推出的IGBT模块采用沟槽结构的场截止技术(Trench Field Stop),沟槽元胞结构大大增加器件的功率密度,通过超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process)在芯片集电极端使用电场截止型(Field Stop)结构,从而显著降低器件的饱和导通压降(Vce(sat))和关断损耗(Eoff),对比上一代产品,器件功率损耗(导通损耗与开关损耗之和)降低了33%,配合搭载独立的等电压快速恢复二极管(FRD),适宜于各类开关应用。 模块采用标准封装,产品在严酷的环境下具有稳定一致的电参数和牢固的可靠性。

特点与优势:

  • 低饱和导通压降(Vce(sat));
  • 低开关损耗(Ets);
  • 高击穿电压(BVces);
  • 高短路电流耐量(Icsc);
  • 电参数重复性与一致性;
  • 高可靠性。
IGBT模块
产品参数

Product Name Voltage Class IC(nom) Housing Dimensions Configuration
IF(nom)
XNG15PI24TL1S3 1200V 15A EasyPIM™ 1B 33.8×48×12mm PIM Three Phase Input Rectifier
XNG35PI12TL2S3  600V
35A
EasyPIM™ 2B
48×57×15.5mm
PIM Three Phase Input Rectifier
XNG25PI24TL2S3
1200V
25A
EasyPIM™ 2B
48×57×15.5mm
PIM Three Phase Input Rectifier
XNG40PI24TL2S3
1200V
40A
EasyPIM™ 2B
48×57×15.5mm PIM Three Phase Input Rectifier
XNG40PI24TC3AS3
1200V
40A
EconoPIM™ 2 KT3
107×45×17mm
PIM Three Phase Input Rectifier
XNG40PI24TC3S3
1200V 40A
EconoPIM™ 2 KT4
107×45×17mm
PIM Three Phase Input Rectifier
XNG75PI24TC4AS5
1200V
75A
EconoPIM™ 3 KT3
122×62×17mm
PIM Three Phase Input Rectifier
XNG75PI24TC4S5
1200V
75A
EconoPIM™ 3 KT4
122×62×17mm
PIM Three Phase Input Rectifier
XNG450B13KC5A4
650V
450A
EconoDUAL™ 3
EconoDUAL3
Dual
XNG450B24KC5A2
1200V
450A
EconoDUAL™ 3
EconoDUAL3
Dual
XNG100B24TC1S5
1200V
75A/100A
34mm
34x94x30.4mm
Dual
XNG75A24TS1S5
1200V
75A
SOT-227
38x25x12mm
Single

备注:EasyPIM™ 2B、EconoPIM™ 2、EconoPIM™ 3、EconoDUAL™ 3 均为英飞凌公司注册的商标。