芯能新一代1200V系列单管，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，实现优异的可控性和出色的EMI性能。
新一代1200V系列产品为匹配不同应用需求，开发了不同参数特点和多种封装类型的产品系列；今天要介绍的产品具有较大的饱和电流、良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合工业变频器、伺服、工业风机等应用。
封装类型
应用领域
产品特点
l 软特性优化的全额定电流的续流二极管
l 低饱和压降VCEsat.typ=1.5V
l 100%通过可靠性考核，以及更严苛的HV-H3TRB考核
l 最低8us短路耐受时间@150℃
l 优异的可控性和出色的EMI性能
产品列表
测试数据(以1200V40A规格为例)
一类短路测试，测试条件：Vcc=600V,Vge=15V, Ron=Roff=20Ω,Tj=150℃
开关dv/dt被设计和优化为工作在5 V/ns或以下，这是电机驱动应用的理想选择。
温升测试
7.5kW通用变频器，载波6K，输出电流17A
