032018-12
碳化硅（SiC）器件生产工艺和技术已经日趋成熟，目前市场推广最大的障碍是成本。包括研发和生产成本以及应用中碳化硅器件代换IGBT后整个电路中的驱动电容电阻的成本。除非生产商主推，而且的确能降低成本提高性能。..
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032018-12
由于电力电子器件工作状态有开通、通态、关断、断态四种工作状态，其中断态、通态分别承受高电压、大电流，而开通和关断的过程中，开关器件可能同时承受过压过流、过大的di/dt、du/dt以及过大的瞬时功率。所以为了防..
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032018-12
第一:降成本的需求。以两点平为例，直接购买赛米控等厂商的成品模块固然可提高产品稳定性，但是相应的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模块并联可明显降低成本（不明白你们成本怎么还增加了）。一般电流越大的i..
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032018-12
1、驱动电路：由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为+UG＝15V±10%，—UG=5~10V。栅极电阻与IGBT的开通和关断特性密切相关，RG小时开关损耗减少，开关时间缩短，关断脉冲电压增大。应根据..
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