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产品介绍

芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术(Trench + FS),合理优化了器件电流密度 ,获得了最佳的饱和导通压降(Vce(sat))和关断损耗(Eoff)平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余,电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。

特点与优势:

  • 低饱和导通压降;
  • 低开关损耗;
  • 高短路电流耐量;
  • 高的参数一致性;
  • 高的输入阻抗;
  • 正向温度系数,适合并联使用。
IGBT单管
产品参数
Product Name Package Build-in Vce
(max)
Ic
(max)
Ic
(max)
Icpuls
(max)
Short-
Circuit
(uS)
PD
(max)
VGE
(max)
VGE
(th)(typ)
VCE
(sat)(typ)
VCE
(sat)(max)
Vf
(Typ)
Diode @25℃ @25℃ @100℃ @25℃ (Vge=15V) (Vge=15V)
XNM6N60T TO-252 Yes 600 12 6 18 10 88 6.5 5.2 2.1 2.4 1.7
XNA6N60T TO-263 Yes 600 12 6 18 10 88 6.5 5.2 2.1 2.4 1.7
XNF6N60T TO-220F Yes 600 12 6 18 10 38 6.5 5.2 2.1 2.4 1.7
XNA15N60T TO-263 Yes 600 30 15 45 10 101 6.5 5.2 1.9 2.3 1.9
XNF15N60T TO-220F Yes 600 30 15 45 10 44 6.5 5.2 1.9 2.3 1.9
XNT15N60T TO-220 Yes 600 30 15 45 10 101 6.5 5.2 1.9 2.3 1.9
XNA19N60T TO-263 Yes 600 38 19 57 10 155 6.5 5 1.7 2 1.6
XNF19N60T TO-220F Yes 600 38 19 57 10 68 6.5 5 1.7 2 1.6
XNA20N60T TO-263 Yes 600 40 20 60 10 166 6.5 5.2 1.7 2 1.8
XNF20N60T TO-220F Yes 600 40 20 60 10 72 6.5 5.2 1.7 2 1.8
XNS20N60T TO-247 Yes 600 40 20 60 10 166 6.5 5.2 1.7 2 1.8
XNS40N60T TO-247 Yes 600 80 40 120 10 268 6.5 5.2 1.75 2.1 1.5
XNS40N60TH TO-247 Yes 600 80 40 120 10 268 6.5 5.2 1.75 2.1 1.7
XNS40N60TH-POD TO-247(贴片) Yes 600 80 40 120 10 268 6.5 5.2 1.75 2.1 1.7
XNS15N120T TO-247 Yes 1200 30 15 45 10 130 6.5 5.5 2.1 2.5 2.1
XNS25N120T TO-247 Yes 1200 50 25 75 10 310 6.5 5.5 1.9 2.1 2.1
XNS25N135T TO-247 Yes 1350 50 25 75 10 310 6.5 5.5 1.9 2.1 2.1
SP25N135T TO-3P Yes 1350 50 25 75 10 310 6.5 5.5 1.9 2.1 2.1
XNS40N120T TO-247 Yes 1200 80 40 120 10 480 6.5 5.5 1.8 2.3 2.2
XNL40N120T TO-264 Yes 1200 80 40 120 10 480 6.5 5.5 1.8 2.3 2.9
XNP40N60G IITO-3P no 600 80 40 120 10 268 6.5 5.2 1.75 2.1 -
XNP40G60GR IITO-3P Yes 600 80 40 120 10 268 6.5 5.2 2 2.3 2
XNP40N60TI IITO-3P Yes 600 80 40 120 10 268 6.5 5.2 1.75 2.1 1.4
XNS50N60T TO-247 Yes 600 100 50 150 10 330 6.5 5.5 1.65 1.9 1.45