工业控制应用领域，随着对效率及体积的更严苛的要求下，传统的全SI IGBT模块也逐渐满足不了需求，芯能C4封装1200V 混合SIC模块内部使用高功率密度第七代IGBT芯片，搭配SIC SBD芯片，通过优势互补，实现与传统模块的稳定兼容外，进一步提升产品能效与可靠性，为工控变频领域，提供更稳定、更高性能的功率半导体解决方案

01

模块拓扑

02

核心优势

- 低开关损耗

1. 反向恢复损耗消除：SiC二极管为单极器件，无少数载流子存储效应，反向恢复时间（trr）缩短，恢复电荷（Qrr）降低。这直接减少了二极管关断时的能量损耗，尤其在高频开关场景下（如电机驱动、光伏逆变器），系统总开关损耗可降低40%-60%。
2. IGBT开通损耗降低：由于SiC二极管无反向恢复电流，IGBT开通时无需承受额外电流峰值，开通损耗（Eon）显著下降。，采用SiC二极管的IGBT模块总损耗比传统硅方案降低约41%。

- 高系统效率

3.  效率优化：SiC二极管的正向压降（VF）具有正温度系数，利于并联均流，减少局部过热风险。长期运行可节省大量电能。

4.  功率密度提高：开关损耗降低后，系统可在更高开关频率下运行，从而减小滤波电感、电容等无源元件的体积。提高整机功率密度。

03

特性对比（VF特性）

结论：SIC SBD VF特性对比SI FRD小0.5V（IF=100A）

04

开关损耗优化对比图表

对比模块：1200V 100A模块

测试条件：Vcc=600V, Rg=10Ω,Ic=100A更小

05

应用领域

06

产品列表

07

应用测试对比

母线电压：Vcc=540V

开关频率：Fsw=4kHz

驱动电压：Vge+=15V，Vge-=8V

散热方式：风冷

驱动参数：Rgon=10Ω，Rgoff=5.1Ω

应用平台：

08

系统效率对比

整机效率测试结论：相同工况下，混合SIC SBD模块整体系统效率对比SI模块优化0.4%

09

系统温升对比

测试条件4KHZ载波；

驱动开关电阻10Ω/5.1Ω；环境温度28℃；VDC:540V；电流峰值100A；底板温度及芯片温度

测试模块：XNG100PI24TC4-S12

测试模块：XNG100PI24TC4

整机温升测试结论：相同工况下，混合SIC SBD模块对比SI 模块晶圆温升降低约10℃

分享到

返回

上一篇：新一代1200V系列单管产品

下一篇：暂时没有