新闻资讯News
首页 > 新闻资讯 > 公司新闻 > 芯能新一代微沟槽技术1200V IGBT芯片研发成功
芯能新一代微沟槽技术1200V IGBT芯片研发成功
芯能半导体 芯能半导体 Loading... 2020-09-18

在不同的应用场景下,电力转换设备中对功率器件特性需求有差异。在一些电源类领域中,需要提高载波频率来提升整个系统的性能及优势,此时对功率器件的动态性能有较高要求;一些电机驱动领域中,一定的载波频率足够,反而对饱和压降、短路耐量等特性有较高要求。所以不同的应用领域对器件设计时各项参数优化的优先级不一样;电机驱动领域,对器件动态特性的重要性有所减弱;降低静态损耗成为了功率半导体的优化的重点。

芯能新一代1200V IGBT芯片研发成功

芯能半导体采用最新一代的微沟槽(MPT)的IGBT技术,结构上进行精密化设计,PITCH达到1um量级;其次,还能够实现发射极沟槽和伪栅极。一方面,由于器件输出特性曲线更陡,可降低静态损耗;另一方面,增加的无效沟道密度减少了有效导电沟道的数量,因此并不会过渡削弱其短路耐量。通过增加有源栅极密度,能够增加单位芯片面积上的导电沟道,饱和压降、动态损耗可降低20%左右


XINER MPT产品封装品


XINER MPT产品静态参数@40A

型号

VTH(V)

VCESAT(V)

VF(V)

CIES(nF)

COES(pF)

CRES(pF)

K40T*****

5.65

1.87

1.68

2.3

216

127

XNS40N120T

5.81

1.39

2.06

5.49

177

44.6

动态波形



短路波形


XINER MPT产品动态参数

测试条件:Vcc=600VIc=40ARg=20ohmCge=0

型号

Esw

(mJ)

Eon (mJ)

dv/dt-on (v/ns)

di/dt-on

(A/us)

Eoff

 (mJ)

dv/dt-off (v/ns)

di/dt-off

(A/us)

XNS40N120T

8.6

5.2

1.6

362

3.4

4.77

250

K40T*****

10.4

5.6

1.26

387

4.8

3.63

151

从产品的静动态测试可以看出,饱和压降相较于K产品降低了25%左右,动态损耗降低了18%左右,而且10uS的短路耐量也能够保证。

变频器测试



变频器温度数据

380VAC/7.5KW变频器/17ARMS负载/fsw=5Khz

探头

XNS40N120T

K40T*****

UH()

58.2

68.6

UL()

58

67

WH()

61

67

VL()

59

67.5

散热器()

55

63

环温()

28


2.5倍过流负载测试

在7.5KW变频器上进行测试验证,各负载下波形良好,满载工况时产品表面温度可降低6-10℃,效果十分明显。损耗的降低,可有利客户减小散热器体积,提供系统功率密度;或可降低产品工作温度提高其可靠性和延长寿命,提高系统的环境的耐受能力。

随着新一代先进芯片研发成功,下一步XINER会抓紧时间为其批量化、系列化做足工作。早日为国产IGBT器件的技术更新贡献自己的一份力量。


分享到
返回
上一篇: 欢迎华羿微电子肖总、崔总一行莅临芯能参观交流
下一篇:庆乔迁之喜!我们搬家了~
相关文章